- 產(chǎn)品詳情
IRHNS597Z60是抗輻射單通道P溝道MOSFET,-30V,56A,特點(diǎn)為單粒子效應(yīng)強(qiáng)化、低RDS(on)、質(zhì)子耐受、簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)、密封陶瓷封裝、輕巧,適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、配電電路、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池充電。具ESD等級(jí)3A,TID級(jí)別100krad或300krad,符合MIL-STD-750標(biāo)準(zhǔn),JANS篩選級(jí)別。
Part Number | Radiation Level | RDS(on) | lD | QPL Part Number |
IRHNS597Z60 | 100 kRads(Si) | 0.0132 | -56A* | JANSR2N7523U2A |
IRHNS593Z60 | 300 kRads(Si) | 0.0132 | -56A* | JANSF2N7523U2A |