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IC集成電路
Linear Systems是小信號分立半導體的設(shè)計商和制造商。公司成立于1987年,產(chǎn)品線包括:超低噪聲 N 溝道和 P 溝道雙通道和單通道 JFET、高速橫向 DMOS 開關(guān)、雙極晶體管、BIFET 放大器、電流調(diào)節(jié)二極管、低漏電流二極管、MOSFET、PhotoFETS 和壓控電阻器。主要市場包括:音頻;雜交種;工業(yè)控制;儀表;醫(yī)療電子;軍事;空間;和測試與測量。
2N/PN/SST4117系列單N溝道JFET放大器
柵源或柵漏電壓:-40V
馬柵電流:50
器件總耗散:300mW
存儲溫度范圍:-55℃~ +150℃
導致溫度:300oC
LS846單通道低噪聲N溝道JFET放大器
儲存溫度:-55 ~ +150℃
連續(xù)功率:300mW3
柵極正向電流:IG(F) = 10mA
柵極對源:VGSO = 60V
柵極到漏極:VGDO = 60V
LS190單N溝道JFET放大器
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE:BVGSS=40V max
HIGH GAIN:Gfs=22mS (typ)
HIGH INPUT IMPEDENCE:IG= -500pA max
LOW CAPACITANCE:20pF (typ)
LSK189單通道低噪聲N溝道JFET放大器
連續(xù)功率:300mW4
J/SST/U308系列單通道高頻N溝道JFET放大器
OUTSTANDING HIGH FREQUENCY GAIN :Gpg = 11.5dB
LOW HIGH FREQUENCY NOISE :NF = 2.7dB
儲存溫度:-55 ~ 150℃
連續(xù)功率耗散(J/SST)4:350mW
連續(xù)功耗(U): 500mw
柵極電流(J/SST):10mA
柵極電流(U): 20mA
柵極到漏極:-25V
柵極到源:-25V
J/SST210系列低噪聲N溝道JFET通用放大器
HIGH GAIN:gfs=7000μmho MINIMUM (J211, J212)
HIGH INPUT IMPEDENCE:IGSS= 100pA MAXIMUM
LOW CAPACITANCE:CISS= 5pF TYPICAL
Gate-Drain or Gate-Source Voltage:-25V
Gate Current:10mA
Total Device Dissipation @25°C Ambient (Derate 3.27 mW/°C):360mW
Operating Temperature Range:-55 to +150 °C
J/SST201系列單通道低噪聲N溝道JFET放大器
儲存溫度:-65 ~ +150℃
持續(xù)功率:350mw
柵極到源:VGSS = 40V
柵極到漏極:VGDS = 40V
LSJ289低噪聲低電容單P溝道JFET
持續(xù)功率:300 mw4
柵極對源:VGSO = 50V
柵極到漏極:VGDO = 50V
2N/LS5905低漏電單片雙N溝道JFET
-VGSS柵極對漏極或源極電壓:40V
-IG(f)柵極正向電流:10mA
-IG柵極反向電流:10μA
設(shè)備損耗:500mW2
2N5564系列低噪聲單片雙N溝道JFET
連續(xù)耗電量(總):500mW
門當前:50 ma
柵極到漏極:-40V
柵極對源:-40V
SST/U440系列寬帶單片雙N溝道JFET放大器
高CMRR:CMRR≥85dB
低柵極漏電:IGSS≤1pA
門對門:±50V
SST/U401系列低噪聲單片雙N通道JFET放大器
LOW DRIFT: │VGS1-2/T│= 10μV/oC TYP.
LOW NOISE: en=6nV/Hz@10Hz TYP.
LOW PINCHOFF: VP=2.5V MAX
Temperatures:-55 to +150°C
LS26VNS N溝道JFET壓控電阻器
儲存溫度:-55 ~ +150°C
結(jié)工作溫度:-55至+135°C
連續(xù)功耗@ Ta= +25°C: 350mW
柵極正向電流:IG(F) = 10mA
門到源:VGSS = -40V
柵極到漏極:VGDS = -40V
J/SST111系列低漏電N溝道JFET開關(guān)
結(jié)工作溫度:-55至150°C
連續(xù)耗散功率(J):360mW
SST (Continuous Power耗散):350mW
門當前:50 mA
柵極到漏極:-35V
柵極到源:-35V
2N5018系列低導通電阻P溝道JFET開關(guān)
連續(xù)功率:500mW
門電流:-10 mA
柵極到漏極:30V
柵極到電源:30V
J/SST174系列單個P溝道JFET開關(guān)
結(jié)工作溫度:-55至135°C
連續(xù)功率:350mW
柵極電流:IG = -50mA
柵極至漏極電壓:VGDS = 30V
門源電壓:VGSS = 30V
4391DFN系列單N溝道JFET開關(guān)
連續(xù)功耗:300mW
門電流:50mA
柵極到漏極或源極:-40V
2N/PN/SST4391系列單通道低噪聲N溝道JFET開關(guān)
儲存溫度(2N): -65 ~ 200℃
存儲溫度(PN/SST):-55 ~ 150°C
結(jié)工作溫度(2N): -55 ~ 200℃
結(jié)工作溫度(PN/SST):-55至150°C
連續(xù)功耗(2N)@Tc=25°C:1800mW3
連續(xù)功耗(PN/SST):350mW4
柵極到漏極或源極(2N/PN):-40V
LS320高輸入阻抗單通道BIFET放大器
工作結(jié)溫:-55至+125°C
+25°C連續(xù)功耗:200mW
漏極電流:ID = 25mA
漏極到源極:VDSO = 20V
柵極到源:VGSS = 20V
3N165系列單芯片雙通道P溝道MOSFET
3N165:40 V
3N166:30 V
柵極電壓:±80v
漏極電流(注2):50 mA
存儲溫度:-55℃~ +150℃
工作溫度:-55℃~ +150℃
鉛溫(焊接,10秒);+300oC
單側(cè)功耗:300mw
總降額高于25oC:4.2 mW/oC
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