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Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2025-05-29 09:00:32     瀏覽:878

  Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引腳封裝,低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG),具有雪崩能力,氣密封裝,適用于高可靠性應(yīng)用。

Solitron Devices SD11714 1200V SiC  N溝道功率MOSFET

  主要參數(shù)

  漏源電壓(VDS):1200V

  連續(xù)漏極電流(ID):25°C時(shí)為17A

  導(dǎo)通電阻(RDS(on)):25°C時(shí)為160mΩ

  柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3.6V

  最大功耗(PD):97W

  工作溫度(TJ):-55°C~+175°C

  體二極管特性

  正向電壓(VSD):4.25V

  反向恢復(fù)時(shí)間(trr):34ns

  反向恢復(fù)電荷(Qrr):197nC

  應(yīng)用領(lǐng)域

  開關(guān)電源

  DC-DC轉(zhuǎn)換器

  PFC電路

  電機(jī)驅(qū)動(dòng)

  機(jī)器人控制

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。

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