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Solitron Devices SD11461 N通道功率MOSFET

發(fā)布時間:2025-04-09 09:17:48     瀏覽:1006

Solitron Devices SD11461 N通道功率MOSFET

  SD11461 是一款由 Solitron Devices 生產(chǎn)的 N 通道功率 MOSFET,以下是其詳細(xì)介紹:

  基本特性

  電壓與電流:漏源極電壓(VDS)為 100V,連續(xù)漏極電流(ID)在 25°C 時為 35A。

  導(dǎo)通電阻:在 25°C、10V 柵源電壓和 30A 漏極電流條件下,漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值為 25mΩ。

  封裝:提供 TO-258 和 TO-254 3 引腳封裝,具有低熱阻,適合高功率應(yīng)用。

  性能特點(diǎn)

  快速開關(guān)能力:優(yōu)化了開關(guān)速度,適用于高頻應(yīng)用,如開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

  高功率耗散能力:最大功耗為 147W,能夠承受較高功率。

  溫度范圍:工作和存儲溫度范圍為 -55°C 至 +150°C,適合惡劣環(huán)境。

  封裝優(yōu)勢:采用密封隔離封裝,具有良好的可靠性和抗干擾能力。

  應(yīng)用領(lǐng)域

  電源管理:用于開關(guān)模式和共振模式電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、功率因數(shù)校正(PFC)電路。

  電機(jī)驅(qū)動:適用于 AC 和 DC 電機(jī)驅(qū)動,以及機(jī)器人和伺服控制系統(tǒng)。

  高頻應(yīng)用:快速開關(guān)特性使其適合高頻電源轉(zhuǎn)換和控制。

  電氣特性

  閾值電壓:柵極閾值電壓(VGS(th))范圍為 2.0V 至 4.0V。

  漏極電流:在 25°C 和 100V 漏源電壓下,漏極電流(IDSS)為 5.0μA。

  柵極漏電流:在 ±20V 柵源電壓下,柵極漏電流(IGSS)為 ±100nA。

  導(dǎo)通電阻:在 10V 柵源電壓和 30A 漏極電流下,漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on))范圍為 20mΩ 至 40mΩ。

  電容特性:輸入電容(Ciss)為 4300pF,輸出電容(Coss)為 450pF,反向轉(zhuǎn)移電容(Crss)為 175pF。

  開關(guān)時間:開啟延遲時間(td(on))為 15ns,上升時間(tr)為 12ns,關(guān)閉延遲時間(td(off))為 47ns,下降時間(tf)為 12ns。

  柵極電荷:總柵極電荷(Qg)為 87nC。

  二極管特性

  源極電流:連續(xù)源極電流(Is)為 35A,脈沖源極電流(sm)為 100A。

  正向電壓:在 30A 漏極電流下,源極二極管正向電壓(Vsd)范圍為 1V 至 1.5V。

  反向恢復(fù)時間:在 10A 漏極電流和 100A/μs 的 di/dt 下,反向恢復(fù)時間(trr)范圍為 89ns 至 120ns。

  尺寸與封裝

  TO-258 封裝:具有較大的散熱片和引腳,適合高功率應(yīng)用。

  TO-254 封裝:尺寸較小,適合緊湊型設(shè)計。

SD11461封裝尺寸

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