vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容芯片
發(fā)布時(shí)間:2025-03-18 09:14:46 瀏覽:6
Vishay CBB 和 CBC 是薄膜二進(jìn)制 MOS 電容芯片,每片芯片包含五個(gè)不同容量的電容,以二進(jìn)制增量排列,為用戶提供了多種容量選擇。這些芯片采用 Vishay Electro-Films 先進(jìn)的薄膜設(shè)備和制造技術(shù)生產(chǎn),并經(jīng)過(guò) 100% 電氣測(cè)試和目視檢查,符合 MIL-STD-883 標(biāo)準(zhǔn)。
特性
可鍵合性:支持線鍵合。
用戶容量選擇:芯片上有五個(gè)電容,容量以二進(jìn)制增量排列。
芯片尺寸:
CBB:0.019" x 0.048"(0402 封裝)
CBC:0.044" x 0.044"(0404 封裝)
容量范圍:CBB 最高 31 pF,CBC 最高 93 pF。
介質(zhì)材料:二氧化硅(Silicon Dioxide)。
低介質(zhì)損耗。
基底材料:半導(dǎo)體硅,背面鍍金。
應(yīng)用場(chǎng)景
CBB 和 CBC 二進(jìn)制 MOS 多值電容芯片設(shè)計(jì)用于通過(guò)常規(guī)線鍵合技術(shù)添加或減去電容,以調(diào)整混合電路。
電氣規(guī)格
參數(shù) | CBB | CBC | 單位 |
總?cè)萘?/strong> | 最高 31 pF | 最高 93 pF | pF |
容量值 | 1, 2, 4, 8, 16 pF | 3, 6, 12, 24, 48 pF | pF |
容差 | ±10% | ±10% | % |
直流工作電壓 | 75 V | 75 V | V |
最大工作電壓 | 75 V | 75 V | V |
峰值電壓(+25°C) | 1.5 x 工作電壓 | 1.5 x 工作電壓 | V |
損耗因數(shù)(1 kHz, 1 VRMS, +25°C) | 0.10% | 0.10% | % |
Q 值(1 mHz, 50 mVRMS, +25°C) | 最小 1000 | 最小 1000 | - |
溫度系數(shù)(-55°C 至 +150°C) | +15 ± 25 ppm/°C | +15 ± 25 ppm/°C | ppm/°C |
絕緣電阻(工作電壓,+25°C) | 最小 10^9 Ω | 最小 10^9 Ω | Ω |
工作溫度范圍 | -55°C 至 +150°C | -55°C 至 +150°C | °C |
機(jī)械規(guī)格
參數(shù) | CBB | CBC |
芯片尺寸 | 0.019" x 0.048" ± 0.002"(0.48 mm x 1.2 mm ± 0.05 mm) | 0.044" x 0.044" ± 0.002"(1.1 mm x 1.1 mm ± 0.05 mm) |
芯片厚度 | 0.010" ± 0.002"(0.254 mm ± 0.05 mm) | 0.010" ± 0.002"(0.254 mm ± 0.05 mm) |
芯片基底材料 | 半導(dǎo)體硅 | 半導(dǎo)體硅 |
介質(zhì)材料 | 二氧化硅(MOS) | 二氧化硅(MOS) |
鍵合墊 | 最小 10 k? 鋁(可選金) | 最小 10 k? 鋁(可選金) |
背面材料 | 最小 3 k? 金 | 最小 3 k? 金 |
訂購(gòu)指南:
部分型號(hào):
CBB1153100BKWS
CBB3100BKAHWS
CBB3100BKGKWS
CBB6200BKAHWS
CBC6200BKAHWS
CBC6200BKGHWS
CBC9300BKAHWS
CBC9300BKGHWS
CBC9300BKGKWS
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