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vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容芯片

發(fā)布時(shí)間:2025-03-18 09:14:46     瀏覽:6

  Vishay CBB 和 CBC 是薄膜二進(jìn)制 MOS 電容芯片,每片芯片包含五個(gè)不同容量的電容,以二進(jìn)制增量排列,為用戶提供了多種容量選擇。這些芯片采用 Vishay Electro-Films 先進(jìn)的薄膜設(shè)備和制造技術(shù)生產(chǎn),并經(jīng)過(guò) 100% 電氣測(cè)試和目視檢查,符合 MIL-STD-883 標(biāo)準(zhǔn)。

vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容芯片

  特性

  可鍵合性:支持線鍵合。

  用戶容量選擇:芯片上有五個(gè)電容,容量以二進(jìn)制增量排列。

  芯片尺寸:

  CBB:0.019" x 0.048"(0402 封裝)

  CBC:0.044" x 0.044"(0404 封裝)

  容量范圍:CBB 最高 31 pF,CBC 最高 93 pF。

  介質(zhì)材料:二氧化硅(Silicon Dioxide)。

  低介質(zhì)損耗。

  基底材料:半導(dǎo)體硅,背面鍍金。

  應(yīng)用場(chǎng)景

  CBB 和 CBC 二進(jìn)制 MOS 多值電容芯片設(shè)計(jì)用于通過(guò)常規(guī)線鍵合技術(shù)添加或減去電容,以調(diào)整混合電路。

  電氣規(guī)格

參數(shù)CBBCBC單位
總?cè)萘?/strong>最高 31 pF最高 93 pFpF
容量值1, 2, 4, 8, 16 pF3, 6, 12, 24, 48 pFpF
容差±10%±10%%
直流工作電壓75 V75 VV
最大工作電壓75 V75 VV
峰值電壓(+25°C)1.5 x 工作電壓1.5 x 工作電壓V
損耗因數(shù)(1 kHz, 1 VRMS, +25°C)0.10%0.10%%
Q 值(1 mHz, 50 mVRMS, +25°C)最小 1000最小 1000-
溫度系數(shù)(-55°C 至 +150°C)+15 ± 25 ppm/°C+15 ± 25 ppm/°Cppm/°C
絕緣電阻(工作電壓,+25°C)最小 10^9 Ω最小 10^9 ΩΩ
工作溫度范圍-55°C 至 +150°C-55°C 至 +150°C°C

  機(jī)械規(guī)格

參數(shù)CBBCBC
芯片尺寸0.019" x 0.048" ± 0.002"(0.48 mm x 1.2 mm ± 0.05 mm)0.044" x 0.044" ± 0.002"(1.1 mm x 1.1 mm ± 0.05 mm)
芯片厚度0.010" ± 0.002"(0.254 mm ± 0.05 mm)0.010" ± 0.002"(0.254 mm ± 0.05 mm)
芯片基底材料半導(dǎo)體硅半導(dǎo)體硅
介質(zhì)材料二氧化硅(MOS)二氧化硅(MOS)
鍵合墊最小 10 k? 鋁(可選金)最小 10 k? 鋁(可選金)
背面材料最小 3 k? 金最小 3 k? 金

訂購(gòu)指南:

image.png

  部分型號(hào):

  CBB1153100BKWS

  CBB3100BKAHWS

  CBB3100BKGKWS

  CBB6200BKAHWS

  CBC6200BKAHWS

  CBC6200BKGHWS

  CBC9300BKAHWS

  CBC9300BKGHWS

  CBC9300BKGKWS


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