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Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片

發(fā)布時間:2025-02-14 09:18:42     瀏覽:1059

Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片

  Infineon IRGB15B60KD是一款絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與超快軟恢復二極管的組合器件。

  基本特性

  低導通電壓:采用低 VCE(on) 的非穿透型 IGBT 技術。

  低二極管正向壓降:二極管的正向壓降較低,有助于降低功耗。

  10μs 短路能力:能夠在 10 微秒內(nèi)承受短路,具有較強的過載能力。

  正溫度系數(shù):VCE(on) 隨溫度升高而增大,有助于并聯(lián)工作時的電流分配。

  超軟恢復特性:二極管的反向恢復特性非常柔和,有助于降低電磁干擾(EMI)。

  主要參數(shù)

  集電極 - 發(fā)射極電壓:600V。

  連續(xù)集電極電流:25°C 時為 31A,100°C 時為 15A。

  脈沖集電極電流:62A。

  二極管連續(xù)正向電流:25°C 時為 31A,100°C 時為 15A。

  最大柵極 - 發(fā)射極電壓:±20V。

  最大功耗:25°C 時為 208W,100°C 時為 83W。

  熱阻抗

  結(jié) - 外殼熱阻抗:IGBT 為 0.6°C/W,二極管為 2.1°C/W。

  外殼 - 散熱器熱阻抗:0.50°C/W。

  結(jié) - 周圍環(huán)境熱阻抗:典型插件安裝為 62°C/W,PCB 安裝為 40°C/W。

  電氣特性

  集電極 - 發(fā)射極飽和電壓:在 15A、VGE=15V、TJ=25°C 時為 1.8V。

  柵極閾值電壓:3.5V 至 5.5V。

  總柵極電荷:56nC 至 84nC。

  開關損耗:TJ=25°C 時,總開關損耗為 560μJ 至 785μJ;TJ=150°C 時,總開關損耗為 835μJ 至 1070μJ。

  反向恢復特性

  反向恢復能量:540μJ 至 720μJ。

  反向恢復時間:92ns 至 111ns。

  應用場景

  該器件適用于對效率和可靠性要求較高的電機控制應用,能夠提供高功率密度和低電磁干擾的解決方案。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。

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