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　　Linear Integrated Systems(LIS)推出的LS840, LS841, LS842是一款低噪聲、低漂移、低電容的單片雙N溝道JFET放大器，專為滿足高性能模擬信號處理的需求而設計。這些放大器具有多方面的優(yōu)異電氣特性，適用于各種精密電子應用。

　　關鍵特性：

　　超低噪聲：典型噪聲密度低至8nV/√Hz，適合對噪聲敏感的應用。

　　超低漏電流：典型漏電流僅為10pA，有助于降低功耗和提高信號完整性。

　　低溫度漂移：最大溫度漂移為5μV/°C，確保在寬溫度范圍內的性能穩(wěn)定。

　　低偏移電壓：典型偏移電壓為2mV，有助于提高信號的精確度。

　　寬溫度工作范圍：存儲溫度范圍為-55°C至+150°C，工作結溫范圍同樣寬至-55°C至+150°C，適合極端環(huán)境下的應用。

　　高可靠性：LIS公司提供超過三十年的質量和創(chuàng)新保證。

　　電氣性能：

　　最大電壓和電流承受能力：VGSS(柵極到源極電壓)可達60V，IG(f)(柵極正向電流)為10mA。

　　最大功耗：在自由空氣中的總功耗為400mW(環(huán)境溫度TA=+25°C)。

　　高跨導：全導通跨導(Gfs)在1000至4000 μS范圍內，典型導通跨導(Gfs)為500至1000 μS(VDG= 20V, ID= 200μA)。

　　高共模抑制比(CMRR)：在VDS= 10到20V, ID=200μA時，CMRR大于100dB;在VDS= 5到10V, ID=200μA時，CMRR大于75dB。

　　低噪聲系數(shù)：噪聲系數(shù)(NF)為0.5 dB(VDS= 20V, VGS= 0, f= 100Hz, NBW= 6Hz)，噪聲電壓密度(en)為10至15 nV/Hz(VDS= 20V, ID= 200μA)。

　　封裝選項：

　　提供多種封裝選項，包括TO-71、TO-78、P-DIP和SOIC。

　　應用領域：

　　這些JFET放大器適用于音頻放大、精密測量設備、傳感器信號調理等需要高精度和高可靠性的應用。

　　訂購信息

　　LS840 TO-71 6L RoHS

　　LS841 TO-71 6L RoHS

　　LS842 TO-71 6L RoHS

　　LS840 TO-78 6L RoHS

　　LS841 TO-78 6L RoHS

　　LS842 TO-78 6L RoHS

　　LS840 PDIP 8L RoHS

　　LS841 PDIP 8L RoHS

　　LS842 PDIP 8L RoHS

　　LS840 SOIC 8L RoHS

　　LS841 SOIC 8L RoHS

　　LS842 SOIC 8L RoHS

　　LS840 Die

　　LS841 Die

　　LS842 Die

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