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Solitron碳化硅電源模塊

發(fā)布時間：2024-10-28 08:58:35     瀏覽：72

　　Solitron公司生產(chǎn)的一系列基于硅碳化物(SiC)半導體的功率模塊。這些模塊設計用于提高電源應用的系統(tǒng)效率、尺寸、重量、外形尺寸和工作溫度范圍。

Solitron碳化硅電源模塊

　　關鍵特性：

　　1. 零正向和反向恢復：意味著這些模塊在開關時損耗非常低。

　　2. 溫度獨立開關行為：模塊的性能不會隨著溫度變化而變化。

　　3. 非常低的雜散電感：這對于SiC MOSFETs的全速開關至關重要。

　　4. ALN基板：用于提高硅碳化物MOSFETs的熱導率，從而實現(xiàn)更好的系統(tǒng)熱性能、更低的開關損耗和更高的可靠性。

　　5. 內部熱敏電阻：用于溫度監(jiān)測。

　　產(chǎn)品系列：

　　半橋模塊：這些模塊具有非常低的雜散電感，適合高速開關。

　　全橋模塊：提供高密度的功率轉換解決方案。

　　PowerMOD系列：應用特定功率模塊，用戶可以選擇不同的電路配置和封裝選項，以最佳地適應特定應用。

　　應用領域：

　　開關模式電源

　　逆變器

　　電池充電器

　　執(zhí)行器和電機控制應用

　　產(chǎn)品規(guī)格：

Device TypeType NumberVolltageContinuous
Current		RsmTemperature
  Range		Recovery
Diodes		Package
Half BridgeSD114871200V95A12mQ-55℃to 175℃Yes6x6
Half BridgeSD119021200V50A32mg-55℃to 175℃Yes3x6B
Half BridgeSD119031200V50A32mg-55℃to 175℃No3x6A
Half BridgeSD119041200V50A32mo-55℃to 175℃Yes3x6A
Half BridgeSD119051200V50A32mg-55℃to 175℃No3x6B
Half BridgeSD119061200V105A13mo-55℃to 175℃Yes3x6B
HalfBridgeSD119561200V105A13mg-55℃to 175℃No3x6B
Half BridgeSD119071200V105A13mo-55℃to175℃Yes3x6B
Half BridgeSD119571200V105A13mQ-55℃to 175℃No3x6B
Half BridgeSD11908650V50A7mo-55℃to 175℃Yes3x6B
HalfBridgeSD119101200V50A8mg-55℃to 175℃Yes3x6B
Dual MOSFETSD11911*1200V50A8.6mQ-55℃to 175℃Yes4x6
Dual MOSFETSD11912*1200V105A13mo-55℃to 175℃Yes4x6
Full BridgeSD11915*1200V40A32mo-55℃to 175℃Yes4x10


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