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Solitron SMF473 400V N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間:2024-09-10 09:10:21     瀏覽:887

  Solitron SMF473是一款專為高功率應用設計的400V N溝道功率MOSFET。它具備多項關鍵特性,包括低R DS(on)(在400V時為40mΩ,10V時為22mΩ典型值)、高耐壓(400V)、高輸入電容(C iss,最大2900pF)和高輸出電容(C oss,最大3900pF),以及低反向恢復電荷(Q rr,最大22nC)。這些特性使SMF473在開關電源、電機驅(qū)動和服務器電源等應用中表現(xiàn)卓越。

Solitron SMF473 400V N溝道功率MOSFET

  該MOSFET的電氣規(guī)格全面,包括連續(xù)漏極電流ID為23A(在特定條件下),脈沖漏極電流IDM高達92A,最大功率耗散P為250W,并具備線性降額因子2W/°C。其工作溫度范圍廣泛,從-55°C至150°C,存儲溫度范圍同樣為-55°C至150°C,確保了在各種環(huán)境下的穩(wěn)定運行。

  SMF473采用TO-247-3L和D-Pak封裝,不僅提供了良好的散熱性能,還便于在電路板上安裝和使用。其詳細的規(guī)格參數(shù)和廣泛的應用領域,使得Solitron SMF473成為高功率電子設計中的理想選擇。

  應用領域:

  - 開關模式和諧振模式電源

  - 直流-直流轉(zhuǎn)換器

  - PFC電路

  - 交流和直流電機驅(qū)動

  - 機器人與伺服控制

  參數(shù):

PARAMETER                        SYMBOL    VALUE           CONDITIONS
Continuous Drain CurrentI23AV=10V,T=25℃
14AVes=10V,Te=100℃
Pulsed Drain Current (see note 1)I92A
Max.Power DissipationP250WT=25℃
Linear Derating Factor
2W/℃
Gate-to-Source VoltageV:20V
Single Pulse Avalanche Energy (see note 2)E980mJ
Avalanche Current (see note 1)I23A
Repetitive Avalanche Energy (see note 1)E25mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (se note 3)dv/dt4V/ns
Operating JunctionTempeatureT55℃to 150℃
Storage Temperature RangeT-55℃to 150℃
Lead Temperature
300℃0.063in. (1.6mm)from case for 10s
Weight (typical)
9.3g

 Solitron SMF178 500V n溝道功率MOSFET 是一款高性能的半導體器件,適用于各種需要高電壓和高電流處理能力的應用。其出色的電氣特性、快速切換能力和可靠性使其成為工業(yè)和消費電子領域的理想選擇。無論是用于電源管理、電機控制還是其他高功率應用,SMF178 都能提供卓越的性能和穩(wěn)定性。

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