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Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強(qiáng)型MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2024-08-21 09:18:47 瀏覽：891

Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強(qiáng)型MOSFET

　　Linear Systems 的 3N170 和 3N171 是單 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，這些器件設(shè)計(jì)用于快速切換電路和需要低漏源電阻的應(yīng)用。以下是這些 MOSFET 的詳細(xì)介紹：

　　特點(diǎn)：

　　直接替代性：3N170 和 3N171 可以直接替換 INTERSIL 的同型號(hào)產(chǎn)品，方便用戶(hù)在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中進(jìn)行升級(jí)或替換。

　　低漏源電阻：r_ds(on) ≤ 200Ω，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的電阻較低，有助于減少功率損耗。

　　快速切換：t_d(on) ≤ 3.0ns，表明這些 MOSFET 能夠快速響應(yīng)開(kāi)關(guān)信號(hào)，適用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

　　絕對(duì)最大額定值(在 25°C，除非另有說(shuō)明)：

　　存儲(chǔ)溫度：-65 至 +150 °C，表明這些器件可以在廣泛的溫度范圍內(nèi)存儲(chǔ)。

　　工作結(jié)溫：-55 至 +135 °C，說(shuō)明這些 MOSFET 可以在極端溫度下工作。

　　連續(xù)功率耗散：300mW，限制了器件在連續(xù)工作時(shí)的最大功率消耗。

　　最大電流(漏到源)：30mA，限制了通過(guò)器件的最大電流。

　　最大電壓：

　　- 漏到柵：±35V

　　- 漏到源：25V

　　- 柵到源：±35V

　　電氣特性(在 25°C，V_sb = 0V)：

SYMBOL	CHARACTERISTIC		MIN	TYP	MAX	UNITS	cONDITIONS
BVoss	Drain to Source Breakdown Voltage		25			V	o=10μA,Ves =0V
Vosion	Drain to Source "On"Voltage				2.0		p=10mA,VGs =10V
Vosah	Gate to Source Threshold Voltage	3N170	1.0		2.0		Vos =10V,lo=10μA
Vosah	Gate to Source Threshold Voltage	3N171	1.5		3.0		Vos =10V,lo=10μA
css	Gate Leakage Current				10	pA	VGs =-35V,Vos =0V
lpss	Drain Leakage Current "Off				10	nA	Vos =10V,VGs =0V
oion	Drain Current "On"		10			mA	Vcs=10V,Vos=10V
gs	Forward Transconductance		1000			μS	Vos =10V,Io=2.0mA,f=1.0kHz
ds(on	Drain to Source "On"Resistance				200	Q	VGs =10V,Io=100μA,f=1.0kHz
Crss	Reverse Transfer Capacitance				1.3	pF	Vos =0V,Vgs =0V,f=1.0MHz
Ces	Input Capacitance				5.0		Vos =10V,VGs =0V,f=1.0MHz
Cd	Drain to Body Capacitance				5.0		Voe =10V,f=1.0MHz

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