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Infineon英飛凌IPC100N04S5-1R2汽車級MOSFET

發(fā)布時間：2024-07-17 08:55:42     瀏覽：1415

　　英飛凌(Infineon)的IPC100N04S5-1R2是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，隸屬于OptiMOS? 5系列。該器件通過了AEC-Q101認(rèn)證，確保其在汽車環(huán)境中的可靠性和穩(wěn)定性。其主要特點包括極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅為1.2 mΩ，以及高達(dá)100 A的連續(xù)漏極電流(ID)，使其非常適合高效率和高性能的汽車系統(tǒng)設(shè)計。

圖片8.png

　　主要特點：

　　N溝道增強(qiáng)型模式：適用于正常電平操作。

　　AEC-Q101認(rèn)證：確保汽車級質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

　　低導(dǎo)通電阻：1.2 mΩ，有助于降低功耗和提高效率。

　　高連續(xù)漏極電流：100 A，支持高負(fù)載應(yīng)用。

　　MSL1等級：適用于260°C的回流焊接。

　　寬工作溫度范圍：-55°C到+175°C，適應(yīng)極端環(huán)境。

　　環(huán)保：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

　　100%壓敏測試：確保產(chǎn)品質(zhì)量。

　　產(chǎn)品概要：

　　漏源電壓(VDS)：40 V

　　最大導(dǎo)通電阻(RDS(on),max)：1.2 mΩ

　　連續(xù)漏極電流(ID)：100 A

　　封裝類型：

　　封裝：PG-TDSON-8-34

　　標(biāo)識符：5N041R2

　　最大額定值：

　　持續(xù)漏極電流：100 A (在TC=25°C, VGS=10V時)

　　脈沖漏極電流：400 A

　　單次脈沖雪崩能量：480 mJ (在ID=50A時)

　　漏源電壓：40 V

　　柵源電壓：±20 V

　　功耗：150 W (在TC=25℃時)

　　工作及貯藏溫度：-55°C到+175°C

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線，快速交付，歡迎聯(lián)系。

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