IRFP4768PbF功率MOSFET英飛凌(Infineon)?
發(fā)布時間:2024-03-28 11:25:04 瀏覽:630
IRFP4768PbF是英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的StrongIRFET?功率MOSFET,采用TO-247封裝,適用于250V單N溝道設(shè)計。
StrongIRFET?功率MOSFET系列經(jīng)過專門優(yōu)化,具有低RDS(on)和高電流承受能力,特別適用于對性能和可靠性要求較高的低頻應(yīng)用場景。該系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于直流電機(jī)、電池管理系統(tǒng)、逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
特點(diǎn):
- 針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進(jìn)行了優(yōu)化
- 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證要求
- 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)通孔電源封裝
- 具有高電流額定值
優(yōu)勢:
- 來自分銷合作伙伴的廣泛可用性
- 符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)資質(zhì)等級
- 標(biāo)準(zhǔn)引腳排列,可直接替換使用
- 高功率密度
潛在應(yīng)用:
- SMPSUPS
- 太陽能逆變器
- 直流電機(jī)驅(qū)動
應(yīng)用領(lǐng)域:
- 不間斷電源(UPS)
- 單相組串式逆變器解決方案
- 離線UPS中的高頻變壓器
規(guī)格參數(shù):
- ID (@25°C) max:93 A
- 安裝方式:THT
- 工作溫度范圍:-55°C 到 175°C
- 最大功耗:520 W
- 封裝形式:TO-247
- 極性:N溝道
- 輸入電荷QG (typ @10V):180 nC
- 輸出電荷Qgd:72 nC
- 開啟時的導(dǎo)通電阻RDS(on) (@10V) 最大值:17.5 mΩ
- 導(dǎo)熱阻抗 RthJC 最大值:0.29 K/W
- 最高結(jié)溫:175°C
- 最大耐壓:250 V
- 門極-源極閾值電壓VGS(th):4 V至5 V
- 最大門極-源極電壓VGS:20 V
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
推薦資訊
QTCT2203S1T-10.00微型SMD溫控晶體振蕩器,頻率范圍廣泛,支持2.8至3.3Vdc電源,工作溫度范圍-40oC至+85oC,符合MIL-PRF-55310 3類設(shè)備標(biāo)準(zhǔn),適用于儀器、導(dǎo)航、航空電子、GPS等多種應(yīng)用領(lǐng)域。
Arizona Capacitors的金屬管狀電容器18J3-0.450R具有100/200V的電壓等級,電容值高達(dá)1.000μF,工作溫度范圍為-55℃至125℃。它具有高絕緣電阻,符合MIL-STD-202標(biāo)準(zhǔn),適用于惡劣環(huán)境,并提供多種電壓模型選擇。其機(jī)械構(gòu)造采用紙箔和箔片,具有非感應(yīng)式和擴(kuò)展箔結(jié)構(gòu),尺寸參數(shù)包括直徑0.172英寸和最大長度1.625英寸,可選絕緣護(hù)套厚度增加選項。此外,該電容器符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),可根據(jù)請求提供。
在線留言