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Solitron SD11487 SiC半橋電源模塊

發(fā)布時(shí)間：2024-01-18 09:21:54     瀏覽：631

　　Solitron Devices SD11487是業(yè)界首款用于高可靠性應(yīng)用的密封碳化硅 (SiC) 功率模塊。

Solitron SD11487 SiC半橋電源模塊

　　51mm x 30mm x 8mm 外形采用獨(dú)特的密封封裝形式，是市場(chǎng)上最小的密封高可靠性、高電壓半橋產(chǎn)品。集成格式可最大限度地提高功率密度，同時(shí)最大限度地降低環(huán)路電感。用于功率輸出級(jí)的 60 mil 引腳隔離在封裝的一側(cè)，以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的電源總線(xiàn)，而用于控制信號(hào)的另一側(cè)則隔離了 30 mil 引腳。

　　SD11487為半橋配置，帶有兩個(gè)1200V 12mΩ SiC MOSFET。該模塊中還包括兩個(gè)與MOSFET并聯(lián)的續(xù)流1200V SiC肖特基二極管和一個(gè)集成NTC溫度傳感器。額定連續(xù)漏極電流為 95A。

　　該SD11487的工作溫度為 -55°C 至 175°C，專(zhuān)為最苛刻的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如井下勘探;空間;和航空電子設(shè)備。密封銅封裝與氮化鋁直接鍵合銅基板相結(jié)合，可提供出色的導(dǎo)熱性和外殼隔離性。集成的溫度檢測(cè)可實(shí)現(xiàn)高電平溫度保護(hù)。

　　與同類(lèi)最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的開(kāi)關(guān)性能，并且隨溫度的變化最小。由于能量損耗和反向充電顯著降低，因此效率水平高于硅，從而在接通和關(guān)斷階段產(chǎn)生更高的開(kāi)關(guān)功率和更少的能量。結(jié)合高開(kāi)關(guān)頻率，這意味著更小的磁性元件，大大減輕了系統(tǒng)的重量和尺寸。

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