TPSM63608降壓模塊(集成電感器)TI 德州儀器
發(fā)布時(shí)間:2023-07-21 17:04:03 瀏覽:455
TI德州儀器TPSM63608來(lái)源于同步降壓模塊系列,是款高寬比集成化36V、6ADC/DC解決方案,集成化數(shù)個(gè)功率MOSFET、一個(gè)屏蔽式電感器和數(shù)個(gè)無(wú)源元件,同時(shí)通過(guò)加強(qiáng)型HotRod?QFN封裝。TPSM63608的VIN和VOUT管腳設(shè)在封裝的邊緣處,可改善輸入輸出電容器設(shè)置。TPSM63608下側(cè)具備4個(gè)較大的散熱焊層,能夠在生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)易布局和輕松解決。
TPSM63608具備1V到20V的輸出電壓,致力于迅速、輕松搞定超小型PCB的低EMI設(shè)計(jì)。整體解決方案只需4個(gè)外部器件,而且節(jié)省了設(shè)計(jì)過(guò)程中的磁性和補(bǔ)償器件選擇過(guò)程。
雖然針對(duì)空間限制型應(yīng)用使用了簡(jiǎn)單的超小型設(shè)計(jì),TPSM63608模塊還提供諸多性能去實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固的性能:TPSM63608具備遲緩性能的高精密使能端能夠?qū)崿F(xiàn)輸入電壓UVLO調(diào)節(jié)、電阻可編程開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率和展頻選項(xiàng)來(lái)提升EMI。與集成化VCC、自舉和輸入電容器同時(shí)使用,能提高安全性和相對(duì)密度。TPSM63608可設(shè)置通過(guò)在滿(mǎn)負(fù)載電流范圍(FPWM)內(nèi)維持穩(wěn)定開(kāi)關(guān)頻率,也能配備為可變性頻率(PFM)從而提高輕負(fù)載效率。包括PGOOD檢測(cè)器,能夠?qū)崿F(xiàn)時(shí)序控制、設(shè)備故障分析和輸出電壓監(jiān)控功能。
特征
?提供可靠性設(shè)計(jì)
–能提供適用于功能性防護(hù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
?多用途36VIN、6AOUT同步降壓模塊
–集成化MOSFET、電感器和控制器
–可調(diào)式輸出電壓范圍包括1V至20V
–6.5mm×7.5mm×4mm超模壓塑料封裝
–具備–40°C至125°C的結(jié)溫范圍
–能夠在200kHz至2.2MHz范圍內(nèi)調(diào)節(jié)頻率
–負(fù)輸出電壓應(yīng)用領(lǐng)域功能性
?在整體負(fù)載范圍以?xún)?nèi)具備極高效率
–95%+最高值效率
–具備適用于提高效率的外部偏置選擇
–外露焊層能夠?qū)崿F(xiàn)低熱阻抗。EVMθJA=
18.2°C/W。
–關(guān)斷時(shí)的靜態(tài)電流為0.6μA(典型值)
–4A負(fù)載下的典型壓降為0.5V
?極低的傳導(dǎo)和輻射EMI數(shù)據(jù)信號(hào)
–具備雙輸入模式與集成化電容器的低噪聲封裝可降
低開(kāi)關(guān)振鈴
–電阻器可調(diào)式開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率
–滿(mǎn)足CISPR11和32B類(lèi)發(fā)射需求
?適用于可擴(kuò)展性電源
–與TPSM63610(36V、8A)管腳兼容
?固有保護(hù)特性,能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)健性設(shè)計(jì)
–高精密使能輸入和漏極導(dǎo)通PGOOD檢測(cè)器(適用于時(shí)序、控制和VINUVLO)
–過(guò)電流和熱關(guān)斷保護(hù)
?使用TPSM63608并通過(guò)WEBENCH?PowerDesigner創(chuàng)建產(chǎn)品定制方案
應(yīng)用領(lǐng)域
?測(cè)試和測(cè)量及其航空航天和國(guó)防
?工業(yè)自動(dòng)化與控制
?降壓和反相降壓/升壓電源
TI 德州儀器為美國(guó)知名集成電路設(shè)計(jì)與制造商,TI 德州儀器產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于商用、軍工以及航空航天領(lǐng)域。
幾十年來(lái),德州儀器一直熱衷于通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)降低電子產(chǎn)品的成本,讓世界變得更美好。TI 是第一個(gè)完成從真空管到晶體管再到集成電路(IC)的轉(zhuǎn)變,在過(guò)去的幾十年里,TI 促進(jìn)了IC技術(shù)的發(fā)展,提高了大規(guī)模、可靠地生產(chǎn)IC的能力。每一代創(chuàng)新都是在上一代創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,使技術(shù)更小、更高效、更可靠、更實(shí)惠——從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,專(zhuān)注于TI 德州儀器品牌高端可出口產(chǎn)品系列新品產(chǎn)品,并備有現(xiàn)貨庫(kù)存,可當(dāng)天發(fā)貨。
推薦資訊
JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET具備抗輻射能力,-60V電壓等級(jí),-0.53A輸出電流。特性包括單粒子效應(yīng)強(qiáng)化、快速切換、低總門(mén)電荷、CMOS和TTL兼容。適用于負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、同步整流、配電電路等。產(chǎn)品型號(hào):JANSR2N7626UBN。
RA1061NL 是一款由iNRCORE公司生產(chǎn)的汽車(chē)電池管理系統(tǒng)(BMS)專(zhuān)用高性能變壓器,尺寸14 × 8.5 × 6毫米,采用SMT技術(shù),適用于空間受限的汽車(chē)電子系統(tǒng)。具有1CT:1CT匝數(shù)比,電感值150至450μH,插入損耗0.3dB,回波損耗20dB,DWV 4300VDC。工作溫度范圍-40°C至+125°C,符合RoHS和AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),確保環(huán)保性和汽車(chē)應(yīng)用可靠性。主要用于汽車(chē)電池管理系統(tǒng),提供精確監(jiān)控和高效管理,以散裝形式提供,汽車(chē)級(jí)品質(zhì)保證長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
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