TPSM5601R5降壓模塊(集成電感器)TI 德州儀器
發(fā)布時(shí)間:2022-10-24 17:05:16 瀏覽:436
TPSM5601R5電源模塊是一個(gè)高度集成的1.5A電源解決方案,包括一個(gè)60V輸入降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器與有源率MOSFET,屏蔽電感和多個(gè)無(wú)源器件在熱增強(qiáng)QFN包。5mm x 5.5mm x 4mm, 15針QFN封裝采用增強(qiáng)型HotRod QFN技術(shù),實(shí)現(xiàn)了更高的熱性能,體積小,電磁干擾低。封裝引腳是裸露的,有一個(gè)單一的大散熱墊,便于布局,布線和組裝。TPSM5601R5是一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊,易于使用的電源模塊,輸出電壓范圍從1.0V到6V。整個(gè)解決方案只需要四個(gè)外部組件,在設(shè)計(jì)過(guò)程中消除了環(huán)路補(bǔ)償和磁性組件選擇的需要。TPSM5601R5具有全套功能,包括電源正常狀態(tài)指示,可編程UVLO,預(yù)偏置啟動(dòng),過(guò)流和溫度保護(hù),因此它是各種應(yīng)用的優(yōu)秀電源??臻g有限的應(yīng)用可以使用5.0mm × 5.5mm的封裝。此外,TPSM5601R5S還提供擴(kuò)頻操作。
特征
?具備功能安全
–可提供適用于功能安全系統(tǒng)開發(fā)的文檔
?5.0mm×5.5mm×4.0mm高性能HotRod?QFN
–優(yōu)異的熱性能:在85°C且無(wú)散熱的情形下高至18W的輸出功率
–標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸:?jiǎn)蝹€(gè)大中型散熱焊層和所有管腳均分布于封裝外圍
?致力于安全可靠耐用的應(yīng)用需求設(shè)計(jì)
–寬輸入電壓范圍:4.2V至60V
–高至66V的輸入電壓瞬態(tài)保護(hù)
–工作溫度范圍:–40°C至+125°C
–帶EXT后綴元器件溫度范圍:–55°C至+125°C
?400kHz固定工作頻率
?FPWM工作模式
?針對(duì)極低EMI要求進(jìn)行優(yōu)化
–集成屏蔽式電感器和高頻率旁路電容器
–滿足EN55011EMI標(biāo)準(zhǔn)
–擴(kuò)頻通信選項(xiàng)降低干擾(EMI)
?26μA非開關(guān)靜態(tài)電流
?單調(diào)開啟至預(yù)偏置輸出
?無(wú)環(huán)路補(bǔ)償或自舉器件
?具備遲滯的功能精密使能和輸入UVLO
?具備遲滯功能的熱關(guān)斷保護(hù)
?采用TPSM5601R5并借助WEBENCH?Power Designer創(chuàng)建定制設(shè)計(jì)
應(yīng)用
?現(xiàn)場(chǎng)傳輸器和傳感器、PLC模塊
?恒溫器、視頻監(jiān)控、HVAC系統(tǒng)
?交流和伺服控制器、旋轉(zhuǎn)編碼器
?工業(yè)運(yùn)輸、資產(chǎn)追蹤
?負(fù)輸出應(yīng)用
TI 德州儀器為美國(guó)知名集成電路設(shè)計(jì)與制造商,TI 德州儀器產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于商用、軍工以及航空航天領(lǐng)域。
幾十年來(lái),德州儀器一直熱衷于通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)降低電子產(chǎn)品的成本,讓世界變得更美好。TI 是第一個(gè)完成從真空管到晶體管再到集成電路(IC)的轉(zhuǎn)變,在過(guò)去的幾十年里,TI 促進(jìn)了IC技術(shù)的發(fā)展,提高了大規(guī)模、可靠地生產(chǎn)IC的能力。每一代創(chuàng)新都是在上一代創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,使技術(shù)更小、更高效、更可靠、更實(shí)惠——從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,專注于TI 德州儀器品牌高端可出口產(chǎn)品系列新品產(chǎn)品,并備有現(xiàn)貨庫(kù)存,可當(dāng)天發(fā)貨。
推薦資訊
DEI? DEI1116/DEI1117提供標(biāo)準(zhǔn)化航空電子系統(tǒng)類型串行數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)總線和16位寬數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)總線之間的接口。通信接口由一個(gè)帶8X32位緩沖器的單通道收發(fā)器、兩個(gè)單獨(dú)的接收通道和一個(gè)用作篩選操控選項(xiàng)的服務(wù)器可編程控制器存儲(chǔ)器組成。
Ampleon BLF242功率MOS晶體管是一款專為HF/VHF發(fā)射器設(shè)計(jì)的硅N溝道增強(qiáng)模式垂直D-MOS晶體管,具有高功率增益、低噪音、良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。它適用于25200兆赫頻率范圍,提供13-16分貝的功率增益和50-60%的漏極效率,適用于專業(yè)發(fā)射器應(yīng)用。
在線留言