MICRON DDR4 SDRAM
發(fā)布時間:2022-04-24 17:03:57 瀏覽:1018
MICRON DDR4 SDRAM是高速動態(tài)隨機存取儲存器,內(nèi)部配備有x16配置的8列DRAM和X4和X8配置的16列DRAM。MICRON DDR4 SDRAM選用8N預取構(gòu)造,實現(xiàn)高速運行。8N預取構(gòu)造與接口相結(jié)合,設計適用于在I/O引腳上每時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)項。MICRON DDR4 SDRAM的單次讀寫操作包括在內(nèi)部DRAM內(nèi)核上進行一次8N位寬的四時鐘數(shù)據(jù)傳輸,及其在I/O引腳上進行兩次相應的n位寬的半時鐘周期數(shù)據(jù)傳輸。MICRON DDR4 SDRAM是DRAM的下一次開發(fā),它提供了更高的性能和更強大的控制作用,同時提高了企業(yè)、微型服務器、筆記本電腦和超薄客戶端應用程序的能源經(jīng)濟性。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,以庫存MICRON高可靠性內(nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢。歡迎咨詢合作。
詳情了解MICRON請點擊:/brand/54.html
Product | Clock Rate (CK) | Data Rate | Density | Prefetch (Burst Length) | Number of Banks | ||
Max | Min | Min | Max | ||||
SDRAM | 10ns | 5ns | 100 Mb/s | 200 Mb/s | 64–512Mb | 1n | 4 |
DDR | 10ns | 5ns | 200 Mb/s | 400 Mb/s | 256Mb–1Gb | 2n | 4 |
DDR2 | 5ns | 2.5ns | 400 Mb/s | 800 Mb/s | 512Mb–2Gb | 4n | 4,8 |
DDR3 | 2.5ns | 1.25ns | 800 Mb/s | 1600 Mb/s | 1–8Gb | 8n | 8 |
DDR4 | 1.25ns | 0.625ns | 1600 Mb/s | 3200 Mb/s | 4–16Gb | 8n | 8,16 |
上一篇: DYTRAN 3035C系列高溫加速度計
下一篇: Bird射頻5W射頻終端
推薦資訊
ADI?的ADG841-KG是種具備單極單擲(SPST)開關(guān)的低壓CMOS元器件。相對于邏輯1輸入,ADG841-KGD封閉。
ADI?的AD4021是款高精密、高速度、低耗能、20位、Easy Drive、高精密逐漸靠近存儲器(SAR)模數(shù)(ADC),選用單電源VDD供電系統(tǒng)。基準電壓V REF是從外部施加的,并且能夠不同于電源電壓進行調(diào)節(jié)。AD4021的功率與吞吐量呈線性相關(guān)。
在線留言