MICRON DDR4 內存
發(fā)布時間:2021-06-04 17:07:48 瀏覽:999
MICRON DDR4內存是全新一代的存儲空間標準規(guī)范。2011年1月4日,三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間,MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別:16位預取機制(DDR3為8位),在同樣內核頻率下,理論研究速度是DDR3的兩倍;傳輸數(shù)據(jù)標準規(guī)范更加安全可靠,數(shù)據(jù)安全可靠性進一步提升,工作中電壓降為1.2V,更環(huán)保節(jié)能。
MICRON DDR4是DRAM的下一代演進,提供更強的性能指標和更強大的控制功能模塊,與此同時提高企業(yè)、微型服務器、平板電腦和超薄客戶端應用領域的環(huán)保節(jié)能性。
微型DDR4內存特點:
寬度:x4、X8,x16;
電流電壓:1.2V;
封裝:FBGA、TFBGA;
時鐘頻率:1200MHz、1333MHz、1600MHz;
工作溫度:0℃至+95℃、-40℃至+95℃、-40℃至+105℃、-40℃至+125℃;
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,以庫存MICRON高可靠性內存顆粒芯片和工業(yè)級內存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢。歡迎咨詢合作。
詳情了解MICRON請點擊:/brand/54.html
或聯(lián)系我們的銷售工程師:0755-83050846 QQ: 3312069749
推薦資訊
88E2040LA1-BUT4C000提供多種主機側端口,包含5GBASE-R、2500BASE-X和SGMII,以支持和低速度傳統(tǒng)以太網(wǎng)接口速度的充分向后兼容性,包含:1Gbps、100Mbps和10Mbps。
OX200 - DK是12V直流驅動、CO - 8封裝的烤箱補償晶體振蕩器。專為特定需求設計,特點有頻率穩(wěn)定性高(±5.0ppb)、溫度范圍寬、低功耗、低相位噪聲和抖動且RoHS合規(guī)。電氣參數(shù)包括供電電壓范圍、輸出特性,還有多種頻率穩(wěn)定性相關參數(shù)。
在線留言