ADI晶圓各種材料工藝對(duì)應(yīng)輸出功率及頻率
發(fā)布時(shí)間:2021-05-21 17:09:32 瀏覽:2540
在電子器件中,射頻和功率應(yīng)用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導(dǎo)體(射頻前端PA等),而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導(dǎo)體(汽車電子學(xué)等)。
由于其高功率密度,GaN在基站大功率器件領(lǐng)域具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。與硅襯底相比,SiC襯底具有更好的導(dǎo)熱特性。目前,工業(yè)上95%以上的GaN射頻器件使用SiC襯底,如Qorvo是基于SiC襯底的,硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作,具有更高的成本優(yōu)勢(shì)。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中,SiC襯底與GaN on Silicon的競(jìng)爭(zhēng)僅占該領(lǐng)域的一小部分。GaN市場(chǎng)主要集中在低壓領(lǐng)域,而SiC主要用于高壓領(lǐng)域。他們的邊界約為600 V。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢(shì)渠道提供ADI晶圓產(chǎn)品Waffle,專業(yè)此道,歡迎合作。
詳情了解ADI Wafer Products請(qǐng)點(diǎn)擊:/brand/68.html
或聯(lián)系我們的銷售工程師:0755-83050846 QQ: 3312069749
推薦資訊
?Renesas?擁有顛覆性的Synergy平臺(tái),可以從應(yīng)用程序編程接口的(API)層開始,并將其創(chuàng)造力集中在客戶自己的應(yīng)用程序的差異化上,這將更好地改變嵌入式設(shè)計(jì)工程師的壽命。因此,Renesas Synergy? 平臺(tái)可以縮短上市時(shí)間,降低所有權(quán)成本,并消除訪問障礙。
IR HiRel?的光伏繼電器(PVR)是遠(yuǎn)程操作控制開關(guān)(開/關(guān)),具備從輸入到輸出的完全電氣隔離。輸出端無需電源模塊。
在線留言