MICRON DDR4 SDRAM
發(fā)布時(shí)間:2021-03-01 17:10:53 瀏覽:1251
MICROND DR4S DRAM是一種高帶寬電子計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。它隸屬于SDRAM系列儲(chǔ)存器產(chǎn)品,提供比DDR3 SDRAM更強(qiáng)的性能指標(biāo)和更低的電流電壓,是全新的儲(chǔ)存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
MICRON的DDR4是DRAM的下一個(gè)發(fā)展趨勢(shì),它產(chǎn)生了更強(qiáng)的性能指標(biāo)和更強(qiáng)大的操縱基本功能,與此同時(shí)提高了企業(yè)、微型服務(wù)器、平板電腦和超薄客戶端應(yīng)用程序的能耗等級(jí)。
DDR4 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
寬度:X4,x8,x16
電流電壓:1.2伏特
包裝:FBGA,TFBGA
時(shí)鐘頻率:1200MHz,1333MHz,1600MHz
運(yùn) 溫度:0C至+95C,-40C至+95C,-40C至+105C,-40C至+125C
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,以庫(kù)存MICRON高可靠性內(nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級(jí)內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。歡迎咨詢合作。
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OX200 - DK是12V直流驅(qū)動(dòng)、CO - 8封裝的烤箱補(bǔ)償晶體振蕩器。專(zhuān)為特定需求設(shè)計(jì),特點(diǎn)有頻率穩(wěn)定性高(±5.0ppb)、溫度范圍寬、低功耗、低相位噪聲和抖動(dòng)且RoHS合規(guī)。電氣參數(shù)包括供電電壓范圍、輸出特性,還有多種頻率穩(wěn)定性相關(guān)參數(shù)。
Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極管,具有1500W的高脈沖功率和快速響應(yīng)時(shí)間,適用于保護(hù)電子設(shè)備免受感性切換、射頻感應(yīng)或雷擊效應(yīng)的影響。這些產(chǎn)品提供5.5V至185V的工作電壓范圍,采用密封的DO-13金屬封裝,并提供符合MIL-PRF-19500/507標(biāo)準(zhǔn)的軍事等級(jí)選項(xiàng)以及RoHS合規(guī)的商業(yè)等級(jí)。它們廣泛應(yīng)用于ESD、EFT和雷擊保護(hù),具有廣泛的溫度工作范圍和高可靠性,是高可靠性應(yīng)用的理想選擇。
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